联发科3nm制程芯片成功流片 预计2024年量产

9月7日消息 联发科、台积电共同宣布,联发科首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片开发进展十分顺利,目前已经完成流片。

联发科表示,3nm新旗舰预计明年投入量产,明年下半年上市。

将在今年下半年发布的天玑9300还是采用台积电4nm工艺,因此推测,这款3nm新旗舰应该是下一代的“天玑9400”。

台积电3nm将是全新一代制程工艺,可为高性能计算、移动应用提供完整的平台支持,还拥有更强的性能、功耗、良率表现。

根据官方数据,台积电3nm相较于5nm可将芯片逻辑密度增加约60%,在相同功耗下性能提升18%,或者在相同性能下功耗降低32%

苹果A17也将采用台积电3nm工艺,而高通骁龙8 Gen4说法不一,有的称台积电、三星双代工,有的说全部包给三星。

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